IBM ha presentado un nuevo proceso de fabricación de transistores que permitirá la fabricación de chips de 5nm fruto de la investigación llevada a cabo junto a GLOBALFOUNDRIES y Samsung.
Este nuevo proceso cambia la forma en la que se han fabricado los transistores hasta ahora, pasando de la arquitectura vertical a una nueva arquitectura que hace uso de capas horizontales de silicio, lo que, según señala IBM, permite abrir una cuarta puerta en el transistor que permite que las señales eléctricas puedan pasar de y entre otros transistores en un mismo chip.
De momento tardará de unos diez a quince años hasta que los futuros dispositivos puedan contar con chips de 5nm ya que por delante queda todavía procesos de investigación y desarrollo antes de que puedan llegar finalmente al mercado.
IBM señala que el nuevo proceso permitirá mejorar el rendimiento con respecto a los actuales chips de 10nm sobre un 40% usando la misma cantidad de energía o posibilitar hasta un 75% de ahorro energético ofreciendo el mismo nivel de rendimiento con respecto a los actuales chips de 10nm.
Si bien es posible crear chips de 5 nm usando el proceso anterior, lo cierto es que no ofrecería la misma potencia y rendimiento que puede ofrecer usando el nuevo proceso de fabricación.
De momento, los chips con transistores verticales, llamados FinFET, seguirán siendo el estándar durante los próximos años, sin embargo, el nuevo proceso permitirá ofrecer el rendimiento y la potencia necesaria que demandarán las futuras aplicaciones.