Un equipo de ingenieros del MIT ha desarrollado un transistor magnético que promete cambiar las reglas del juego en el diseño de componentes electrónicos. A diferencia de los transistores tradicionales, que dependen del silicio como material base, este nuevo dispositivo utiliza un semiconductor magnético bidimensional: el bromuro de azufre y cromo (CrSBr).
Este material ofrece propiedades singulares que permiten conmutar entre dos estados magnéticos con gran precisión, lo cual no solo posibilita un control más eficiente de la corriente eléctrica, sino que también abre la puerta a una integración más estrecha entre procesamiento y almacenamiento de datos. Continúa leyendo «MIT presenta transistor magnético con memoria integrada y conmutación 10 veces más potente»