El óxido de galio (Ga₂O₃) está captando la atención del mundo de la electrónica por su potencial para reemplazar al silicio en aplicaciones donde la eficiencia energética es crucial. Aunque ya se había logrado fabricar capas del tipo n, necesarias para los dispositivos semiconductores, el principal obstáculo seguía siendo la creación de capas estables del tipo p. Sin esta combinación, no se podían construir diodos pn funcionales, esenciales para controlar el flujo de electricidad. Continúa leyendo «La promesa de los semiconductores de óxido de galio: más eficiencia y menos calor en la electrónica del futuro»
