MIT presenta transistor magnético con memoria integrada y conmutación 10 veces más potente
Un equipo de ingenieros del MIT ha desarrollado un transistor magnético que promete cambiar las reglas del juego en el diseño de componentes electrónicos. A diferencia de los transistores tradicionales, que dependen del silicio como material base, este nuevo dispositivo utiliza un semiconductor magnético bidimensional: el bromuro de azufre y cromo (CrSBr). Este material ofrece… <a href="https://wwwhatsnew.com/2025/09/26/mit-presenta-transistor-magnetico-con-memoria-integrada-y-conmutacion-10-veces-mas-potente/">Continúa leyendo »</a>