Micron impulsa la era de la IA con sus nuevos chips de memoria DDR5 y almacenamiento UFS 4.1

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Ilustración de un chip de memoria flotando con líneas futuristas, simbolizando el almacenamiento y la inteligencia artificial en móviles.

El avance de la inteligencia artificial sigue transformando nuestra manera de interactuar con la tecnología, y Micron ha demostrado en el Mobile World Congress (MWC) 2025 que el futuro de los dispositivos inteligentes depende en gran parte de la capacidad y eficiencia de su memoria y almacenamiento. La empresa ha presentado sus nuevos chips 1y DDR5 y soluciones de almacenamiento UFS 4.1, diseñados para mejorar el rendimiento de smartphones, PCs y dispositivos AI con un consumo energético más eficiente.

Nuevos chips de memoria DDR5 para el procesamiento de IA

Micron ha lanzado los primeros chips 1y (1-gamma) DDR5, consolidando su liderazgo en el desarrollo de memoria DRAM de alto rendimiento. Estos chips están diseñados para gestionar las crecientes demandas de procesamiento que requiere la IA generativa, optimizando la velocidad y el consumo energético.

Para los smartphones de 2026, Micron ofrecerá módulos 1y LPDDR5X de 16Gb, que mejoran el rendimiento y logran un ahorro energético de hasta un 15%. Esto es esencial en un contexto donde las aplicaciones de IA, procesamiento de video y multitarea demandan más capacidad sin comprometer la duración de la batería.

Almacenamiento UFS 4.1: más velocidad y eficiencia para los smartphones AI

En el MWC, Micron también ha presentado sus nuevos dispositivos de almacenamiento móvil, destacando el lanzamiento del primer UFS 4.1 basado en G9. Esta tecnología promete velocidades superiores y mayor eficiencia energética, adaptándose a las necesidades de los smartphones modernos.

Las principales características incluyen:

  • Mayor capacidad: Modelos desde 256GB hasta 1TB.
  • Optimización de rendimiento: Hasta 60% más velocidad de lectura gracias a la función de defragmentación de datos.
  • Mejora en la velocidad de acceso: Escritura aleatoria un 30% más rápida con la función Pinned WriteBooster.
  • Menor latencia: Gracias a la tecnología Intelligent Latency Tracker, que optimiza el rendimiento en aplicaciones de IA y gaming.

Colaboración con Samsung y el Galaxy S25

Micron ha trabajado estrechamente con Samsung para integrar sus nuevas soluciones de memoria en la serie Galaxy S25. Estos dispositivos cuentan con almacenamiento UFS 4.0 de alta capacidad y memoria LPDDR5X optimizada, lo que permite un consumo 10% más eficiente en comparación con generaciones anteriores.

Esta colaboración ha permitido potenciar la suite Galaxy AI, que ofrece funciones avanzadas como:

  • Transcripción de llamadas en tiempo real.
  • Composición automática de mensajes.
  • Modo Nightography para mejorar la fotografía en condiciones de poca luz.

IA multimodal y el futuro de los smartphones inteligentes

Desde WWWhatsnew, creemos que la evolución de la inteligencia artificial en smartphones no solo dependerá de software avanzado, sino también de hardware optimizado. Micron apuesta por la IA multimodal, que combina texto, imágenes y video para ofrecer experiencias más fluidas e intuitivas. Además, con la tecnología de aprendizaje federado, los dispositivos podrán aprender patrones del usuario sin comprometer su privacidad.

A medida que avanzamos hacia una IA agéntica, capaz de anticipar necesidades y tomar decisiones autónomas, la base de memoria y almacenamiento será clave para sostener este nuevo ecosistema. Micron continúa innovando para ofrecer soluciones que maximicen el rendimiento sin descuidar la eficiencia energética y la seguridad de los datos.