Intel y Micron presentan su tecnologí­a de memoria más rápida y densa que la convencional

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Actualmente vivimos en una época caracterizada por la cantidad de dispositivos conectados y la generación de gran cantidad de datos, a los que hay que almacenar y acceder rápidamente a los mismos para permitir su procesamiento. En este sentido, las compañí­as Intel y Micron han presentado hoy, mediante una keynote en directo, su nueva tecnologí­a llamada 3D XPoint, creada desde cero, la cual es fruto de más de una década de investigación y desarrollo.

Con esta nueva tecnologí­a, ya en producción, ambas compañí­as quieren hacer frente a los nuevos desafí­os tecnológicos que se presentan en la era actual, señalando acerca de la misma que es una clase de memoria no volátil con latencias mucho más bajas, siendo hasta 1.000 veces más rápidas que las memorias NAND Flash, que tenemos actualmente disponibles en pendrives y en las unidades de almacenamiento de estado sólido (SSD). La arquitectura de la nueva tecnologí­a prescinde totalmente de transistores, basándose en el cambio de propiedades de los compuestos únicos de los materiales, los cuales van variando sus resistencia, formando un patrón de tablero tridimensional complejo, ofreciendo hasta diez veces de densidad respecto a la memoria convencional.

Resalta además que se trata de una tecnologí­a de alto rendimiento, alta resistencia y de alta capacidad de almacenamiento, todo ello a un precio asequible. En este sentido, una misma unidad de esta memoria permite almacenar unos 128 Gb de datos.

Respecto a las aplicaciones de la nueva tecnologí­a, pueden ir desde el aprendizaje automático para el seguimiento en tiempo real de las enfermedades hasta el ofrecimiento de capacidades de inmersión en juegos de ordenador bajo resolución a 8K (UHDV), según indica la compañí­a en un comunicado.